Trong không gian với hệ toạ độ Oxyz, cho hai mặt cầu img1có phương trình lần lượt là img2img3. Gọi img4 là mặt phẳng thay đổi tiếp xúc với cả hai mặt cầu img5. Khoảng cách lớn nhất từ gốc toạ độ O đến mặt phẳng (P) bằng:

A.

img1 .

B.

img1 .

C.

img1 .

D.

img1 .

Đáp án và lời giải
Đáp án:C
Lời giải:

Phân tích:  Mặt cầu img1 có tâm img2 và bán kính img3 . Mặt cầu img4 có tâm img5 và bán kính img6  Suy ra tâm vị tự của hai mặt cầu trên là img7  Phương trình mặt phẳng cần tìm có dạng img8 . Ta có img9  Từ đó có img10 . Đặt img11 ta có img12(*) và img13 . Phương trình (*) có nghiệm khi img14 . Suy ra khoảng cách lớn nhất từ gốc toạ độ O đến mặt phẳng (P) bằng  img15. Đáp án C.

 

Đáp án đúng là C.

Bạn có muốn?

Xem thêm các đề thi trắc nghiệm khác

Chia sẻ

Một số câu hỏi khác có thể bạn quan tâm.